三氧化二镓
Gallium(III) oxide
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| 货号 | 包装规格 | 纯度/级别 | 交货周期 | 价格 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| YB14886-5g | 5g | 99.99% | 现货 | ||
| YB14886-25g | 25g | 99.99% | 需询价 | ||
| YB14886-100g | 100g | 99.99% | 需询价 | ||
| YB14886-500g | 500g | 99.99% | 需询价 |
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基础信息
| 中文名称 | 三氧化二镓 |
|---|---|
| 英文名称 | Gallium(III) oxide |
| 别名 | 氧化镓 |
| Cas No. | 12024-21-4 |
| MDL No. | MFCD00011020 |
| 精确分子量 | 185.83591 |
| Smiles | O=[Ga]O[Ga]=O |
安全信息
| 密度 | 5.88 g/mL at 25 °C |
|---|---|
| 熔点 | 1740 °C |
| 化学稳定性 | 常温常压下稳定 避免光，明火，高温 是极难挥发的氧化物。另外，由于灼烧强度不同，对酸的溶解度也有差别，在低温灼烧的产品虽然可溶解于酸、碱，但高温灼烧的产品就是不溶的。有机镓化合物的热分解虽然也可生 |
| 沸点 | 1740ºC |
| 安全说明(旧) | S24/25 |
| 水溶解性 | Insoluble (NTP, 1992) |
| 存储要求 | 贮存于阴凉、干燥的库房内 |
| 闪点 | Not applicable |
产品详情
产品简介
三氧化二镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg＝4．9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。
产品用途
可作为半导体材料，光谱分析中用于测定铀中杂质。制取钆镓石榴石、催化剂、化学试剂等。三氧化二镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动汽车和光伏太阳能系统。
制备参考
氧化镓制备主流方法： 按β-Ga2O3照晶体生长过程中原料状态的不同，可以将晶体生长方法分为：溶液法、熔体法、气相法、固相法等。熔体法是研究最早也是应用最为广泛的晶体生长方法，也是目前生长β-Ga2O3体块单晶常用的方法。通过熔体法可以生长高质量、低成本的β-Ga2O3体块单晶，其中最为常用的生长方法主要有两种：提拉法和导模法。
